[hnamkn01]

Hệ thống quảng cáo SangNhuong.com

Như đã biết, NAND 3D là thiết kế chip nhớ đời mới với cấu trúc gồm nhiều lớp bán dẫn xếp chồng lên nhau theo một hình lập phương, trái ngược so với cấu trúc phẳng của các loại chip NAND 2D phổ thông bây giờ. Bộ nhớ flash có tốc độ nhanh hơn và kiệm ước năng lượng hơn so với bộ nhớ vật lý thông thường nhưng tổn phí sản xuất vẫn còn rất đắt đỏ. Bộ nhớ MLC NAND 3D của Intel có dung lượng 256 Gbit/đế chip, gấp đôi so với sản phẩm của Samsung.
1134 http://paesaggistraordinari.org/thre...en.html?p=7670
1135 http://pgddtvithanh.edu.vn/threads/6...en.html?p=6287
1136 http://nhipcau.edu.vn/threads/15319-...n.html?p=15356
Do đó, bằng việc tăng dung lượng cho mỗi đế chip, Intel hy vọng có thể tạo nên một bước đột phá về hiệu quả hoài khi các bộ nhớ này có thể được dùng rộng rãi trên nhiều hệ thống hơn. Những sản phẩm điện tử dùng bộ nhớ NAND flash sẽ có thêm nhiều dung lượng lưu trữ với mức giá không đổi.

Đối với các thị trường cao cấp, Intel sẽ phát triển chip nhớ NAND mỏng chỉ 2mm nhưng có thể chứa được 1 TB dữ liệu, Rob Crooke cho biết. Trong vòng 2 năm tới, Intel đã lên kế hoạch sinh sản card lưu trữ cho các hệ thống máy chủ doanh nghiệp với dung lượng trên 10 TB. Rob Crooke nhấn mạnh rằng: "Bạn sẽ có đủ dung lượng, có thể là dưới 1 TB nhưng ở hoài thấp hơn rất rất nhiều. Đối với các thiết bị mỏng, nhẹ tiêu biểu như máy tính 2 trong 1 hay máy tính bảng thì bạn có thể có được nhiều dung lượng hơn như mong muốn".